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Intersil 瑞萨(英特矽尔)

Intersil- Renesas

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Intersil复制 Intersil- Renesas 瑞萨(英特矽尔)
描述： RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
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替代：
晶体管类型：3 NPN + 2 PNP
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，15V
频率 - 跃迁：8GHz，5.5GHz
增益：-
功率 - 最大值 ：150mW
丝印：
外壳：
封装：16-SOIC
料号：JTG3-3025
包装：
参考价格:￥75.585700
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描述： RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
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描述： RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
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替代：
晶体管类型：6 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
频率 - 跃迁：10GHz
增益：12.4dB ~ 17.5dB
功率 - 最大值 ：250mW
丝印：
外壳：
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3239
包装：
参考价格:￥75.585700
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描述： RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
参数： *晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V，15V *频率 - 跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:5 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:6 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *增益:12.4dB ~ 17.5dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:6 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *增益:12.4dB ~ 17.5dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:2 NPN（双） *电压 - 集射极击穿（最大值）:9V *频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:26mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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料号：JTG3-3240
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封装：16-SOIC
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品牌： Intersil复制 Intersil- Renesas 瑞萨(英特矽尔)
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
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替代：
晶体管类型：5 NPN
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频率 - 跃迁：8GHz
增益：-
功率 - 最大值 ：150mW
丝印：
外壳：
封装：16-QFN（3X3）
料号：JTG3-3316
包装：
参考价格:￥75.585700
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品牌： Intersil复制 Intersil- Renesas 瑞萨(英特矽尔)
描述： RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6
参数： *晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V，15V *频率 - 跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:5 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:6 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *增益:12.4dB ~ 17.5dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:6 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *增益:12.4dB ~ 17.5dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:2 NPN（双） *电压 - 集射极击穿（最大值）:9V *频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:26mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:5 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:5 NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:2 PNP（双） *电压 - 集射极击穿（最大值）:9V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *增益:- *功率 - 最大值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:26mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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封装：SOT-23-6
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品牌： Intersil复制 Intersil- Renesas 瑞萨(英特矽尔)
描述： RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
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晶体管类型：3 NPN + 2 PNP
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料号：JTG3-3579
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晶体管类型：5 NPN
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频率 - 跃迁：8GHz
增益：-
功率 - 最大值 ：150mW
丝印：
外壳：
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3743
包装：
参考价格:￥75.585700
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可供数量:咨询
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丝印：
外壳：
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料号：JTG3-3745
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参考价格:￥75.585700
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥75.585700
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描述： IC TRANS ARRAY PNP MATCH SOT23-6
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品牌： Intersil复制 Intersil- Renesas 瑞萨(英特矽尔)
描述： TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
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替代：
晶体管类型：5 NPN
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增益：27dB ~ 30dB
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丝印：
外壳：
封装：16-SOIC
料号：JTG3-3850
包装： 管件
参考价格:￥75.585700
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总额：
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描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
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晶体管类型：5 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
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封装：14-SOICN
料号：JTG3-3852
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